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单晶硅电池组件
太阳能电池组件
5N高阻多晶硅
多晶硅原料
技术项目
技术参数
纯度
5N
6N
类型
P型
电阻率
0.5~3Ω·cm , 3~6Ω·cm
单晶硅棒
P6″
P8″
型号
P型
型号
P型
结晶方位
100±3°
结晶方位
100±3°
掺杂剂
硼
掺杂剂
硼
电阻率
0.5-3Ω.cm
3/6Ω.cm
电阻率
0.5-3Ω.cm
氧含量
≤1×10
18
atoms/cm3
氧含量
≤1×10
18
atoms/cm3
碳含量
≤5×10
16
atoms/cm3
碳含量
≤5×10
16
atoms/cm3
少子寿命
≥3μsec
少子寿命
≥3μsec
位错密度
<1000
pcs./cm2
位错密度
<1000
pcs./cm2
直径
155±2
直径
212±3
计价直径
153
计价直径
205
1kg单晶长度
23.341
mm
1kg单晶长度
13.001
mm
单晶硅片
技术项目
技术参数
规格
125mm×125mm
156mm×156mm
类型
P型
硅片宽度
125±0.3mm
156±0.3mm
硅片直径
150±0.3mm
165±0.3mm
硅片厚度
200±20μm
少子寿命
≥1.5μsec
转换率
≥17%
切割方式
多线切割
晶向
<100>
浙江亨美硅业科技有限公司
总机:+86-577-86556099
办电:+86-577-86556088
传真:+86-577-86554879
E-mail:hmgy@vip.163.com
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