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单晶硅电池组件
太阳能电池组件
5N高阻多晶硅
多晶硅原料
技术项目 技术参数
纯度 5N 6N
类型 P型
电阻率 0.5~3Ω·cm , 3~6Ω·cm
单晶硅棒
P6″ P8″
型号 P型 型号 P型
结晶方位 100±3° 结晶方位 100±3°
掺杂剂 掺杂剂
电阻率 0.5-3Ω.cm 3/6Ω.cm 电阻率 0.5-3Ω.cm
氧含量 ≤1×1018 atoms/cm3 氧含量 ≤1×1018 atoms/cm3
碳含量 ≤5×1016 atoms/cm3 碳含量 ≤5×1016 atoms/cm3
少子寿命 ≥3μsec 少子寿命 ≥3μsec
位错密度 <1000 pcs./cm2 位错密度 <1000 pcs./cm2
直径 155±2 直径 212±3
计价直径 153 计价直径 205
1kg单晶长度 23.341 mm 1kg单晶长度 13.001 mm
单晶硅片
技术项目 技术参数
规格 125mm×125mm 156mm×156mm
类型 P型
硅片宽度 125±0.3mm 156±0.3mm
硅片直径 150±0.3mm 165±0.3mm
硅片厚度 200±20μm
少子寿命 ≥1.5μsec
转换率 ≥17%
切割方式 多线切割
晶向 <100>
浙江亨美硅业科技有限公司
总机:+86-577-86556099
办电:+86-577-86556088
传真:+86-577-86554879
E-mail:hmgy@vip.163.com
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